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PSHI 0423
发表于:2018-03-22 11:36 分享至:
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双通道大功率IGBT 驱动核


主要参数(Ta=25℃ )
VS 供电电源电压+15 V
PDC/DC 隔离电源总功率6 W
Visol 隔离电压(1 minute. AC) 5 kV
VCES IGBT 集电极- 发射极电压1700 V
IoutAV 每通道平均电流100 mA
IoutPEAK 每通道峰值电流±25 A
Qout/pulse 每脉冲输出电荷±10* μC
VG(ON/OFF) 门极电压+15/-9 V
dv/dt 电压变化率75 kV/μS
td(I/O) 信号转换延时650 nS
tmd 窄脉冲抑制400 nS
td(err) 故障响应延时110 nS
fSW Max. 最高频率100 kHz
Top 工作温度-40℃ ...+80℃

特点

●集成DC/DC 隔离电源
●纳米晶变压器隔离
●动态监测VCEsat 提供短路( 过流) 保护
●欠压保护及门极电压监控
●故障“软关断”
●互锁及死区
●输出电荷可自由扩充,适合并联应用
● 0--100% 占空比
●表面爬电距离43mm

应用

桥式电路
变频器
逆变器
感应加热
EV
APF
SVG
高频电源