欢迎光临北京普尔盛电子技术有限公司
返回列表
您当前的位置:主页 > 中文简体 > 产品中心 > HV-IGBT驱动器 >
HV_PSHI0822HV-Core(停产)
发表于:2023-09-17 11:48 分享至:
点击下载数据资料


PSHI 0822-17
双通道大功率HV-IGBT驱动核

主要参数(Ta=25℃)

VS 供电电源电压 +15 V
P 隔离电源总功率 8 W
Visol 隔离电压(1 minute. AC) 5 kV
VCES IGBT 集电极-发射极电压 1700 V
IoutAV 每通道平均电流 160 mA
IoutPEAK 每通道峰值电流 ±40 A
Qout/pulse 每脉冲输出电荷 ±10* μC
VG(ON/OFF) 门极电压 +15/-9 V
dv/dt 电压变化率 75 kV/μS
td(I/O) 信号转换延时 650 nS
tmd 窄脉冲抑制 400 nS
td(err) 故障响应延时 110 nS
fSW Max. 最高频率 50 kHz
Top 工作温度 -40℃...+85℃

特点
●集成DC/DC 隔离电源
●纳米晶变压器隔离
●动态监测VCEsat 提供短路( 过流) 保护
●欠压保护及门极电压监控
●故障“软关断”及动态尖峰抑制
●互锁及死区
●输出电荷可自由扩充
●0--100% 占空比
●表面爬电距离45mm

应用
桥式电路
变频器
逆变器
感应加热
APF
SVG
高频电源


PSHI 0822-33


双通道大功率HV-IGBT驱动核

主要参数(Ta=25℃)

VS 供电电源电压 +15 V
P 隔离电源总功率 8 W
Visol 隔离电压(1 minute. AC) 7 kV
VCES IGBT 集电极-发射极电压 3300 V
IoutAV 每通道平均电流 160 mA
IoutPEAK 每通道峰值电流 ±40 A
Qout/pulse 每脉冲输出电荷 ±10* μC
VG(ON/OFF) 门极电压 +15/-9 V
dv/dt 电压变化率 75 kV/μS
td(I/O) 信号转换延时 650 nS
tmd 窄脉冲抑制 400 nS
td(err) 故障响应延时 110 nS
fSW Max. 最高频率 50 kHz
Top 工作温度 -40℃...+85℃

特点
●集成DC/DC 隔离电源
●纳米晶变压器隔离
●动态监测VCEsat 提供短路( 过流) 保护
●欠压保护及门极电压监控
●故障“软关断”及动态尖峰抑制
●互锁及死区
●输出电荷可自由扩充
●0--100% 占空比
●表面爬电距离45mm

应用
桥式电路
中压变频器
矿用变频器
逆变器
光伏
风电
APF
SVG
脉冲电源


PSHI 0822-45


双通道大功率HV-IGBT驱动核

主要参数(Ta=25℃)
 
VS 供电电源电压 +15 V
P 隔离电源总功率 8 W
Visol 隔离电压(1 minute. AC) 9 kV
VCES IGBT 集电极-发射极电压 4500 V
IoutAV 每通道平均电流 160 mA
IoutPEAK 每通道峰值电流 ±40 A
Qout/pulse 每脉冲输出电荷 ±10* μC
VG(ON/OFF) 门极电压 +15/-9 V
dv/dt 电压变化率 75 kV/μS
td(I/O) 信号转换延时 650 nS
tmd 窄脉冲抑制 400 nS
td(err) 故障响应延时 110 nS
fSW Max. 最高频率 50 kHz
Top 工作温度 -40℃...+85℃

特点
●集成DC/DC 隔离电源
●纳米晶变压器隔离
●动态监测VCEsat 提供短路( 过流) 保护
●欠压保护及门极电压监控
●故障“软关断”及动态尖峰抑制
●互锁及死区
●输出电荷可自由扩充
●0--100% 占空比
●表面爬电距离45mm

应用
桥式电路
中压变频器
矿用变频器
逆变器
光伏
风电
APF
SVG
脉冲电源