欢迎光临北京普尔盛电子技术有限公司
网站首页
关于我们
公司简介资质荣誉企业文化组织机构发展历程
产品中心
IGBT驱动核EV-IGBT驱动器HV-IGBT驱动器三电平IGBT驱动器即插即用驱动器并联谐振专用驱动器适配板SiC-MOSFET驱动器停产型号与升级方案
新闻中心
公司新闻行业新闻公司公告
服务与支持
人力资源
人才资源公司团队培训发展招贤纳士
联系我们
首页
关于我们
公司简介资质荣誉企业文化组织机构发展历程
产品中心
IGBT驱动核EV-IGBT驱动器HV-IGBT驱动器三电平IGBT驱动器即插即用驱动器并联谐振专用驱动器适配板SiC-MOSFET驱动器停产型号与升级方案
新闻中心
公司新闻行业新闻公司公告
服务与支持
人力资源
人才资源公司团队培训发展招贤纳士
联系我们
返回列表
您当前的位置:主页 > 中文简体 > 产品中心 > HV-IGBT驱动器 >
HV_PSHI512F-HV73
发表于：2018-03-22 11:31 分享至：
点击下载数据资料

PSHI 0512F-65

单通道大功率IGBT驱动核

主要参数(Ta=25℃)
 

VS 供电电源电压 +15 V
P 隔离电源总功率 4 W
Visol 隔离电压(1 minute. AC) 12 kV
VCES IGBT 集电极-发射极电压 6500 V
IoutAV 每通道平均电流 150 mA
IoutPEAK 每通道峰值电流 ±40 A
Qout/pulse 每脉冲输出电荷 ±10* μC
VG(ON/OFF) 门极电压 +15/-9 V
dv/dt 电压变化率 75 kV/μS
td(I/O) 信号转换延时 500 nS
tmd 窄脉冲抑制 400 nS
td(err) 故障响应延时 200 nS
fSW Max. 最高频率 50 kHz
 
特点
●集成DC/DC 隔离电源
●光纤隔离
●动态监测VCEsat 提供短路( 过流) 保护
●欠压保护及门极电压监控
●故障“软关断”及动态尖峰抑制
●故障宽度自由调整
●0--100% 占空比
●表面爬电距离33mm
●安装高度8mm
应用
变频器
光伏
风电
牵引
推进
智能电网
脉冲电源
三电平
串联应用
 

关于我们
公司简介
产品中心
IGBT驱动核 三电平IGBT驱动器 HV-IGBT驱动器 即插即用驱动器 EV-IGBT驱动器 并联谐振专用驱动器 SiC-MOSFET驱动器 适配板 停产型号与升级方案
新闻中心
公司公告 公司新闻 行业新闻
人力资源
招贤纳士
联系我们

TELEPHONE

135-2177-5103，
邮箱：sales@igbtdriver.com
手机：135-2177-5203，135-2177-5213
Copyright © 2017-2030 北京普尔盛电子技术有限公司 版权所有